低损耗M系列IGBT采用Max247长引线封装，Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A,
产品说明
该器件是采用先进的专有沟槽栅fieldstop结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
产品特色
最大结温：TJ = 175 °C
• 短路耐受时间为10 μs
• 低VCE(sat) = 1.7 V典型值 @ IC = 50 A • 紧密的参数分布
• 正VCE(sat)温度系数
• 低热阻
• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
产品优势
• 使用寿命长
产品说明
该器件是采用先进的专有沟槽栅fieldstop结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
产品特色
最大结温：TJ = 175 °C
• 短路耐受时间为10 μs
• 低VCE(sat) = 1.7 V典型值 @ IC = 50 A • 紧密的参数分布
• 正VCE(sat)温度系数
• 低热阻
• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
产品优势
• 使用寿命长
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