STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装，N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A
产品说明
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
产品特色
• 在基于硅的器件中，每种面积的RDS（on）均为全球领先
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100％雪崩测试
产品优势
• 更高的功率密度、更低的导通损耗，以及更紧凑的解决方案
• 低开关功率损耗带来高效率和高开关速度
产品说明
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
产品特色
• 在基于硅的器件中，每种面积的RDS（on）均为全球领先
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100％雪崩测试
产品优势
• 更高的功率密度、更低的导通损耗，以及更紧凑的解决方案
• 低开关功率损耗带来高效率和高开关速度
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