车规级ACEPACK DMT-32电源模块，Fourpack拓扑，1200 V，47.5 mOhm典型值，SiC功率MOSFET，配备NTC 产品说明 这款ACEPACK DMT-32电源模块采用了集成NTC的fourpack拓扑结构，专为混合动力和电动车辆中OBC的DC/DC转换器级别定制。该电源

2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。   新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十

600/650 V超结功率MOSFET技术是全球唯一同时适用于硬开关 (PFC) 和软开关 (LLC) 的技术，600/650 V MDmesh M9系列可以实现更紧凑的解决方案，同时提高功率密度。快速本征二极管MDmesh DM9系列能够提供更高的dv/dt和di/dt值，从而增加应用的耐用性和可

汽车级版本D N沟道1200 V STPOWER MOSFET，1.45 Ω典型值， 7 A MDmesh K5功率MOSFET，采用H2PAK封装 产品说明 这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的

ACEPACK 1电源模块，四单元拓扑，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，带NTC 产品说明 该电源模块采用四单元拓扑，内置ACEPACK 1 模块和NTC，并集成了意法半导体最先进的第2代硅碳化MOSFET。这种模块化解决方案可用于实现功率密度非常高的复杂拓扑，从而

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装 产品说明 这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO-247长引线封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A  产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO247- 4封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET。基

ST 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。  新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通