高速HB系列IGBT采用H²PAK-2封装，汽车级沟槽栅场截止，650 V@30 A 产品说明 该器件是采用先进的专有沟槽栅fieldstop结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)正温度系数和

低损耗M系列IGBT采用Max247长引线封装，Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, 产品说明 该器件是采用先进的专有沟槽栅fieldstop结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重