NPI是什么？ NPI是英文New Product Introduction的缩写，即新产品导入的意思。在每个科技产品准备上市之前，都会有一段不短的时间进行设计、研发、试产，如何加速新产品导入时间也就成为每一家公司提升竞争力的关键因素之一。 为什么要NPI? 为了加速客户新产品导入的时间，原厂都会为

1. 前言 电源ORing技术是一项关键的电源管理技术，常被应用于保障系统不受电源故障或中断的影响。它的核心原理是利用多个电源供应器并联提供电能，当其中一个电源失效时，其他电源会自动接管，确保系统持续运行。同时，这项技术也提高了电源ORing应用的效率和性能。 安森美半导体推出理想二极体/ORing

传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替

onsemi半导体技术已成为推动现代电子产业发展的核心力量。安森美作为半导体行业的领军企业，其第三代半导体方案引领了行业的技术革新，为电子产品的能效提升和绿色环保做出了重要贡献。 onsemi半导体技术是当今信息时代的基石，每一次的技术突破都为我们的生活带来深刻变革。作为半导体技术的领军者，安森美不

特性 二次侧同步整流控制器优化非互补有源箝位反激变换器(NC-ACF)。 可在低侧和高侧配置。 支持逻辑级(A和B)和标准级(C和D) mosfet 宽范围供电电压:4v至36v 用于SR MOSFET (190 V AMR)的DVS(漏源)检测电压 工作频率高达500khz 快速短路检测器 内部栅

作者：英飞凌官微 英飞凌科技与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。 英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长

安森美半导体，作为全球领先的半导体解决方案供应商，一直以其卓越的技术和创新能力引领行业变革。如今，安森美再度突破技术壁垒，推出新一代的"onsemi安森美第三代半导体方案"，旨在满足市场对于高效、可靠和节能的电子产品的迫切需求。这一解决方案，不仅是安森美自身技术实力的体现，更是对未来科技发展趋势的深

ST VD55G0_ 2.6μm BSI Global Shutter 640x600, Only 2.6mm x 2.5mm, High sensitivity up to 940nm Smallest 640x600 global shutter sensor, even smaller siz

VD55G1是2.16μm的背照式全局快门影像传感器: 分辨率800x700, 使用ST Ultra compac技术, 拥有小型的Die尺寸 2.7mm x 2.2mm (even smaller size than other VGA sensors ). 并提高了近红外灵敏度( QE in 9

Layout设计中的几个关键步骤是布局、走线、铺铜、散热，英诺赛科高压单管GaN的Layout设计也不例外。 反激拓扑是高压单管GaN的典型应用，快充场合常用。该拓扑在地线的处理上都需特别注意，如下图所示，Layout时辅助绕组地、IC信号地功率地在bulk电容处汇合，避免IC地受干扰导致驱动振荡。