增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。 产品型号： FF17MR12W1M1H_B11 17mΩ 1200V FF17MR12W1M1H_B70 17mΩ 1

碳化硅 (以下简称“SiC”) 是制造大功率器件最有前景的半导体材料之一，具有出色的物理特性。基于SiC的器件具有高饱和电子漂移速度、高热导率和高击穿电场，相较Si MOSFET， 基于SiC器件 的系统能以更小的尺寸实现更低的损耗和更快的开关速度。 品质和可靠性方法 安森美(onsemi)的工程师

上篇分析了安全的种类，有触电，能量，着火，热，机械危险等。接着我们继续分析安全相关的其他问题。 一、基于我国基础条件与国际标准之间的差异： 1、基于地理条件的偏离： 将标准的使用高度提高到海拔5000米，同时，保留了IEC标准海拔2000米一档。 对于不能满足5000m的设备，要求增加安全警告。 设

S32V234 是一颗高性能 ADAS 处理器，在产品设计时应充分地考虑设备的热力性能。S32V234 GPU 运行起来后芯片的总功耗最高达 5.8W ， 良好的散热对 S32V234 产品性能的提高、系统的稳定性、产品的安全性尤为重要。本文从 S32V234 芯片和产品角度对散热设计进行分析。 一