作者：英飞凌工业半导体 产品特点 工作电压高达+650V 采用英飞凌SOI技术 负压VS瞬态抗扰度为100V 集成式低欧姆自举二极管 专为自举电路设计 最大电源电压为25V 欠压锁定(UVLO)功能 200ns传播延迟 VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V -5V输入端的负电压容差 应用价值 降

Infineon英飞凌一直致力于推动半导体技术的发展和创新。其中，Infineon英飞凌的栅极驱动方案在半导体行业中具有重要地位，为智能化、高效化的电子设备提供了强大的技术支持。 一、Infineon英飞凌栅极驱动方案的特点 高性能 Infineon英飞凌的栅极驱动方案具有高性能的特点，能够为各种电

Infineon英飞凌作为全球知名的半导体公司，致力于为全球客户提供高效能、可靠的半导体解决方案。其中，栅极驱动方案是Infineon英飞凌的核心产品之一，广泛应用于电力电子设备领域。该方案具有高效率、高可靠性、高性能等优点，为电力电子设备的设计和优化提供了强有力的支持。 Infineon英飞凌栅极

  英飞凌新款160V三相栅极驱动器6ED2742S01Q适用于电动工具以及其他电动产品。该产品设有集成电源管理模块，并配有电荷泵与预调节器，能够承载6V至140V的大范围输入电压，并集成了过流保护比较器，可实现单分流低侧保护。该应用范围广泛，从电动单车到多轴飞行器，从电动工具到园艺工具，从电动滑板

1. 要求     为了降低开关损耗，栅极的开启和关闭应尽可能快。为了降低EMI干扰，栅极的开启和关闭应缓慢。     1.1 开启           开启时，FET电流较低，较慢的开启速度不会造成很高的开关损耗。          对于连续模式，由于输出整流管的Trr，快速开启将导致更高的尖峰电

Infineon英飞凌作为全球知名的半导体公司，其栅极驱动方案在电力电子领域具有广泛的应用。本文将介绍Infineon英飞凌的栅极驱动方案，以及它在电力电子系统中的重要性和优势。 一、栅极驱动方案概述 栅极驱动方案是电力电子系统中的重要组成部分。它通过控制开关的开启和关闭，实现对电力系统的有效控制。

一、什么是栅极驱动器            『功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功

新品 6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET） EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC　1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。 该板预装了两个CoolSiC™ SiC MOSFET

带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列 产品型号： ▪️ 2ED1321S12M ▪️ 2ED1322S12M ▪️ 2ED1323S12P ▪️ 2ED1324S12P EiceDRIVER™ SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，

新品    X3 Compact POLARIS (1ED314x)-6.5A,3kV(rms) 单通道隔离栅极驱动器 X3 Compact （1ED31xx）隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列又增加了一个新的产品系列，DSO-8 150mil窄体封装（1ED314x），带一个米