N沟道100 V标准电平STripFET F8功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装，125 A和4.6 mΩ（最大值） 产品说明 STL120N10F8是第一款采用新型STripFET F8沟槽MOSFET技术制造的100V器件，完全符合工业级应用要求。新型MOSFET既优化了体漏极

汽车 N 沟道逻辑电平 40V STripFET F8 功率 MOSFET　   STL325N4LF8AG商品介绍 这种 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强的沟槽栅极结构。 它确保了极低的导通电阻，同时减少了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。