功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应用中的损耗计算，请参考微信文章《PIM模块中整流桥的损耗计算》。 晶闸管是半控型

ACEPACK 1电源模块，四单元拓扑，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，带NTC 产品说明 该电源模块采用四单元拓扑，内置ACEPACK 1 模块和NTC，并集成了意法半导体最先进的第2代硅碳化MOSFET。这种模块化解决方案可用于实现功率密度非常高的复杂拓扑，从而

动机     目前在AIoT产品应用上，多port USB3.1界面需求呈现向上趋势，一来因其界面速度的提升，二来USB3.1提供了方便性。     QCS610提供一port USB3.1，若要支持多port的 USB3.1界面，则需外挂一USB HUB来实现。但此主port同时也是QCS610芯

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

电池管理系统解决方案，面向3、4或5系列配置的锂离子和锂聚合物电池 产品说明 针对基于锂离子和锂聚合物电池（具有3、4或5系列配置）的完整电池组，L9961在其监控、平衡和保护系统中发挥着关键作用。 L9961采用高精度ADC，通过外部NTC提供电池电压、堆叠电压和温度转换。电压监测功能按照可编程回

摘 要 本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍，并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案，最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。   1. 引 言 互联网数据中心(Int

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列采用TO-220封装，N沟道600 V，38 mOhm典型值，56 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新型超结MDmesh DM9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，以及快速恢复二极管

作者：英飞凌工业半导体 新品 75mm平板型晶闸管AMPT系列 1400/1700A 1600V 产品描述： Infineon Technologies Bipolar采用先进的中功率技术(AMPT)，推出新的直径75毫米、高26毫米的1600V平板型器件1400A和1700A，目标应用是低压软起动