NCP51820高速栅极驱动器设计用于满足驾驶增强模式（e-mode）的严格要求， 高电子迁移率晶体管（HEMT）和 栅极注入晶体管（GIT）， 氮化镓（GaN）电源开关处于断开状态， 半桥功率拓扑。 NCP51820提供短和 匹配的传播延迟与先进的电平偏移技术，提供−3.5 V至+650 V（典型