NCP51820高速栅极驱动器设计用于满足驾驶增强模式（e-mode）的严格要求， 高电子迁移率晶体管（HEMT）和 栅极注入晶体管（GIT）， 氮化镓（GaN）电源开关处于断开状态， 半桥功率拓扑。 NCP51820提供短和 匹配的传播延迟与先进的电平偏移技术，提供−3.5 V至+650 V（典型）共模电压范围 用于高压侧驱动，而用于低压侧驱动的−3.5 V至+3.5 V共模电压范围。此外 该器件在高速开关应用中为两个驱动器输出级提供额定高达200V/ns的稳定dV/dt操作。
特点：
650 V，集成高侧和低侧栅极驱动器
•建议用于软交换应用
•VDD高端和低端驱动器的UVLO保护
•双TTL兼容施密特触发器输入
•分流输出允许独立开启/关闭调节
•Source能力：1A；Sink能力：2 A
•分离的HO和LO驱动器输出级
•针对GaN器件优化的1 ns上升和下降时间
•SW和PGND：高达3.5 V的负电压瞬态
•所有SW和PGND参考电路的200 V/ns dV/dt额定值
特点：
650 V，集成高侧和低侧栅极驱动器
•建议用于软交换应用
•VDD高端和低端驱动器的UVLO保护
•双TTL兼容施密特触发器输入
•分流输出允许独立开启/关闭调节
•Source能力：1A；Sink能力：2 A
•分离的HO和LO驱动器输出级
•针对GaN器件优化的1 ns上升和下降时间
•SW和PGND：高达3.5 V的负电压瞬态
•所有SW和PGND参考电路的200 V/ns dV/dt额定值
•最大传播延迟小于50 ns •匹配传播延迟小于5 ns
•用户可编程死区控制
•热停堆（TSD）
管脚说明：
内部框图：
典型应用图：
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