αSiC MOSFET卓越的开关性能和效率
目前AOS第二代αSiC MOSFET分立器件全线产品均符合AEC-Q101标准，能够为客户提供广泛的静态导通电阻以及多种封装选择。其中包括已完成优化开关性能的TO-247-4L封装，以及能够助力客户实现产线自动化且提升功率密度的D2PAK-7封装。
注：αSiC MOSFET全系列产品组合
在产品规格上，提供了650V、750V、1200V和1700V耐压等级，15mΩ-1000mΩ导通电阻范围的产品，具有优异的开关损耗、雪崩能力、短路能力等特性。该产品组合专为苛刻的应用要求而设计，与传统的硅器件相比，具有更为卓越的开关性能和效率。
αSiC MOSFET 高可靠性
除了上述列举的性能之外，SiC MOSFET的可靠性是广大客户最关心的重点。AOS一直致力于坚持严苛的可靠性测试标准，为器件的可靠性提供强有力的保障，第二代αSiC MOSFET 使用远高于AEC-Q101标准进行可靠性测试和验证。
注：αSiC MOSFET可靠性测试项目
SiC MOSFET还需要考虑由于栅氧化层电场应力造成的栅极氧化层可靠性问题。AOS对器件的氧化层质量进行验证，基于大量MOSFET氧化层寿命测试数据进行建模，确保器件在正常栅极驱动电压范围内有远超过20年的使用寿命。
SiC MOSFET 体二极管双极性退化也是影响可靠性的重要因素。以下测试数据验证AOS可以为设计人员提供更先进的下一代半导体技术，以提高效率达成能效目标。
总结
全球新能源汽车产业保持强势发展势头，每年以成数百万个单位一路疾驰发展，汽车制造商正在努力扩大续航里程并缩短充电时长，在减小系统尺寸和重量的同时也延长了EV续航里程距离，并显着提高其充电速度。AOS第二代αSiC MOSFET具有更为先进工艺，使器件具备出色的开关性能和参数，比如较小的寄生电容、内阻温度系数、动态热阻和开关损耗，能够给不同应用场合提供全面的参数和封装的选择，同时能兼顾器件的高性能和可靠性。