<div class="main-news-content">
								<div style="width: 100%;display: flex;flex-direction: row; margin-bottom:10px;">
										<div style="flex-grow:1;">作者 : Semtech官网</div>
															<div style="flex-grow:1;">出處 : https://www.semtech.com/company/news-and-media</div>
									</div>

								<div>
					<p>   <span style="font-size: 15px;"><strong>   此次合作为N x 200G/通道市场提供交钥匙解决方案，为成功部署下一代51.2T和102.4T交换机平台铺平了道路</strong></span></p>
<p>      加利福尼亚州卡马里奥，2023 年 10 月 2 日 – 高性能半导体、物联网系统和云连接服务提供商 Semtech Corporation 今天宣布推出一款 200G/通道光收发器，该收发器采用 Semtech 最新的 FiberEdge® 200G PAM4 PMD 和 Broadcom 最新一代 DSP PHY 和单模光纤。</p>
<p>      Semtech 将于 10 月 2 日至 4 日在苏格兰格拉斯哥举行的 2023 年欧洲光通信会议 （ECOC） 展会上，在 Semtech 的 #517 展位上现场演示基于 Semtech 最新的 FiberEdge 200G PAM4 四通道 EML 驱动器和四通道 TIA 以及 Broadcom 最先进的 5nm 112GBd PAM4 DSP、EML 和 PD 器件的 200G/通道模块。</p>
<p>      Semtech 信号完整性产品事业部高级产品线经理 Nicola Bramante 表示：“200G/通道即用型光模块的演示验证了 200G/通道技术，Semtech 一直是该技术的早期推动者，证实了 Semtech 对先进技术和创新的坚定承诺。作为DSP和光学方面200G/lane生态系统的积极贡献者，与Broadcom的合作对于实现1.6T及以上技术的重要里程碑以及最终部署下一代51.2T和102.4T交换机发挥了重要作用。</p>
<p>      Broadcom 物理层产品部营销高级总监 Khushrow Machhi 表示：“Broadcom 很高兴与 Semtech 合作开发基于 200G/通道光学器件的下一代光学模块，这些模块使用 Broadcom 的 DSP 以及 Semtech 的激光驱动器和 TIA。这些带宽高达1.6TB的下一代光模块将推动51.2TB下一代交换平台的采用。</p>
<p>     关于 Semtech 的光学产品</p>
<p>Semtech 的光网络产品平台为数据中心/企业网络、无线基础设施和无源光网络/光纤到 X 市场的领先公司使用的光模块解决方案提供高性能信号完整性。有关更多信息，请访问 www.semtech.com/optical。</p>				</div>
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						</ul>

Semtech 和 Broadcom 在 ECOC 2023 上展示 200G/通道光收发器

<div class="main-news-content">
								<div style="width: 100%;display: flex;flex-direction: row; margin-bottom:10px;">
										<div style="flex-grow:1;">作者 : Semtech官网</div>
															<div style="flex-grow:1;">出處 : https://www.semtech.com/company/news-and-media</div>
									</div>

								<div>
					<p> </p>
<p><span style="font-size: 15px;"><strong>        AirLink 管理服务 （ALMS） 的创新新功能将云技术的优势与本地基础设施相结合，以实现 AirLink 路由器的终极安全性和控制。</strong></span></p>
<p>       加利福尼亚州卡马里奥，2023 年 10 月 17 日 – 高性能半导体、物联网系统和云连接服务提供商 Semtech Corporation 今天宣布推出一项正在申请专利的混合云安全功能，用于管理其 AirLink 路由器。创新在于云技术的灵活性与客户对现场基础设施的控制之间的无缝融合，提供与零信任策略相一致的无与伦比的安全性和控制。</p>
<p>      混合方法：混合云结合了两全其美的优势 - 云技术的可扩展性和本地基础架构的控制。这意味着企业可以快速扩大运营规模，同时将安全性放在首位。</p>
<p>      增强的安全性：混合云使企业能够完全控制</p>				</div>
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						</ul>

Semtech 为 AirLink® 推出高级混合云功能路由器：以无与伦比的安全性和控制力重新定义边缘网络管理

<div class="main-news-content">
								<div style="width: 100%;display: flex;flex-direction: row; margin-bottom:10px;">
										<div style="flex-grow:1;">作者 : AOSemi</div>
															<div style="flex-grow:1;">出處 : https://mp.weixin.qq.com/s/5PMdYooHJkZhBVCbEddNbg</div>
									</div>

								<div>
					早在碳化硅材料器件问世初期，AOS就开始布局SiC MOSFET相关产品线。从全球网罗顶尖人才组建SiC设计团队，团队成员有超过20年在业界顶尖厂商的研发设计经验，领导组建了相关SiC Fab产线, 熟悉产品制程。经过多年筹备，AOS于2019年推出可大批量生产的第二代1200V车规级/工规级αSiC MOSFET, 产品的导通内阻覆盖了从20mohm到500mohm的范围，涵盖了市场上各类相关应用；随后推出了750V/650V车规级/工规级αSiC MOSFET，导通内阻覆盖了15mohm到60mohm的范围，更广泛的涵盖了各种高效率高功率密度的电源应用，为客户提供高性能和高可靠性的解决方案。<br>
<section style="text-align: left; justify-content: flex-start; display: flex; flex-flow: row; margin-top: 35px; margin-bottom: 35px;">
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; min-width: 5%; height: auto; padding-left: 13px;">
<section style="margin-top: 5px;">
<section style="text-align: justify; color: #ffffff;">
<p style="text-wrap: wrap;"><strong>αSiC MOSFET卓越的开关性能和效率</strong></p>
</section>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: 23px; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; overflow: hidden; height: auto;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; min-width: 5%; flex: 0 0 auto; height: auto; align-self: stretch; overflow: hidden; padding-right: 7px; padding-left: 22px; margin-left: -20px;">
<section style="transform: rotateZ(338deg);">
<section style="text-align: center; margin-top: -10px; margin-bottom: -3px; transform: translate3d(-6px, 0px, 0px);">
<section style="display: inline-block; width: 10px; height: 49px; vertical-align: top; overflow: hidden; background-color: #fad181; box-shadow: #ffffff -7px 0px 0px 0px;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<section style="margin-bottom: 15px;">
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">目前AOS第二代αSiC MOSFET分立器件全线产品均符合AEC-Q101标准，能够为客户提供广泛的静态导通电阻以及多种封装选择。其中包括已完成优化开关性能的TO-247-4L封装，以及能够助力客户实现产线自动化且提升功率密度的D2PAK-7封装。</p>
</section>
</section>
<section style="text-align: center; margin-top: 10px; margin-bottom: 10px; line-height: 0;">
<section style="vertical-align: middle; display: inline-block; line-height: 0;"></section>
</section>
<section style="margin-top: -10px;">
<section style="font-size: 12px; color: #999ba3;">
<p style="text-wrap: wrap;"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2023/22407/tinymce/640.png" alt=""><br>注：αSiC MOSFET全系列产品组合</p>
</section>
</section>
<section style="margin-top: 15px;">
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">在产品规格上，提供了650V、750V、1200V和1700V耐压等级，15mΩ-1000mΩ导通电阻范围的产品，具有优异的开关损耗、雪崩能力、短路能力等特性。该产品组合专为苛刻的应用要求而设计，与传统的硅器件相比，具有更为卓越的开关性能和效率。</p>
</section>
</section>
<section style="text-align: center; margin-top: 10px; margin-bottom: 10px; line-height: 0;">
<section style="vertical-align: middle; display: inline-block; line-height: 0;"></section>
</section>
<section style="margin-top: -10px;">
<p style="text-wrap: wrap;"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2023/22407/tinymce/_____________20231117140715.png"></p>
</section>
<section style="text-align: left; justify-content: flex-start; display: flex; flex-flow: row; margin-top: 35px; margin-bottom: 35px;">
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; min-width: 5%; height: auto; padding-left: 13px;">
<section style="margin-top: 5px;">
<section style="text-align: justify; color: #ffffff;">
<p style="text-wrap: wrap;"><strong>αSiC MOSFET 高可靠性</strong></p>
</section>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: 23px; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; overflow: hidden; height: auto;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; min-width: 5%; flex: 0 0 auto; height: auto; align-self: stretch; overflow: hidden; padding-right: 7px; padding-left: 22px; margin-left: -20px;">
<section style="transform: rotateZ(338deg);">
<section style="text-align: center; margin-top: -10px; margin-bottom: -3px; transform: translate3d(-6px, 0px, 0px);">
<section style="display: inline-block; width: 10px; height: 49px; vertical-align: top; overflow: hidden; background-color: #ffcf47; box-shadow: #ffffff -7px 0px 0px 0px;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">除了上述列举的性能之外，SiC MOSFET的可靠性是广大客户最关心的重点。AOS一直致力于坚持严苛的可靠性测试标准，为器件的可靠性提供强有力的保障，第二代αSiC MOSFET 使用远高于AEC-Q101标准进行可靠性测试和验证。</p>
</section>
<section style="text-align: center; margin-top: 10px; margin-bottom: 10px; line-height: 0;">
<section style="vertical-align: middle; display: inline-block; line-height: 0;"></section>
</section>
<section style="margin-top: -10px;">
<section style="font-size: 12px; color: #999ba3;">
<p style="text-wrap: wrap;"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2023/22407/tinymce/_____________20231117140735.png" alt=""><br>注：αSiC MOSFET可靠性测试项目</p>
</section>
</section>
<section style="margin-top: 15px;">
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">SiC MOSFET还需要考虑由于栅氧化层电场应力造成的栅极氧化层可靠性问题。AOS对器件的氧化层质量进行验证，基于大量MOSFET氧化层寿命测试数据进行建模，确保器件在正常栅极驱动电压范围内有远超过20年的使用寿命。</p>
</section>
</section>
<section style="text-align: center; margin-top: 10px; margin-bottom: 10px; line-height: 0;">
<section style="vertical-align: middle; display: inline-block; line-height: 0;"></section>
</section>
<section style="margin-top: -10px;">
<section style="font-size: 12px; color: #999ba3;">
<p style="text-wrap: wrap;"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2023/22407/tinymce/_____________20231117140756.png" alt=""></p>
</section>
</section>
<section style="margin-top: 15px;">
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">SiC MOSFET 体二极管双极性退化也是影响可靠性的重要因素。以下测试数据验证AOS可以为设计人员提供更先进的下一代半导体技术，以提高效率达成能效目标。</p>
</section>
</section>
<section style="text-align: center; margin-top: 10px; margin-bottom: 10px; line-height: 0;">
<section style="vertical-align: middle; display: inline-block; line-height: 0;"></section>
</section>
<section style="margin-top: -10px;">
<section style="font-size: 12px; color: #999ba3;">
<p style="text-wrap: wrap;"><img src="https://edit.wpgdadawant.com/uploads/news_file/vendornews/2023/22407/tinymce/_____________20231117140821.png" alt=""></p>
</section>
</section>
<section style="margin-top: -10px; margin-bottom: 20px;">
<section style="font-size: 12px; color: #999ba3; line-height: 1.4;"></section>
</section>
<section style="text-align: left; justify-content: flex-start; display: flex; flex-flow: row; margin-top: 35px; margin-bottom: 35px;">
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; min-width: 5%; height: auto; padding-left: 13px;">
<section style="margin-top: 5px;">
<section style="text-align: justify; color: #ffffff;">
<p style="text-wrap: wrap;"><strong>总结</strong></p>
</section>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: 23px; align-self: stretch; flex: 0 0 auto; background-color: #013e73; overflow: hidden; height: auto;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
<section style="display: inline-block; vertical-align: top; width: auto; min-width: 5%; flex: 0 0 auto; height: auto; align-self: stretch; overflow: hidden; padding-right: 7px; padding-left: 22px; margin-left: -20px;">
<section style="transform: rotateZ(338deg);">
<section style="text-align: center; margin-top: -10px; margin-bottom: -3px; transform: translate3d(-6px, 0px, 0px);">
<section style="display: inline-block; width: 10px; height: 49px; vertical-align: top; overflow: hidden; background-color: #ffcf47; box-shadow: #ffffff -7px 0px 0px 0px;">
<section style="text-align: justify;">
<p style="text-wrap: wrap;"> </p>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
<section style="letter-spacing: 1px; padding-right: 1px; padding-left: 1px; line-height: 2; font-size: 15px;">
<p style="text-wrap: wrap;">全球新能源汽车产业保持强势发展势头，每年以成数百万个单位一路疾驰发展，汽车制造商正在努力扩大续航里程并缩短充电时长，在减小系统尺寸和重量的同时也延长了EV续航里程距离，并显着提高其充电速度。AOS第二代αSiC MOSFET具有更为先进工艺，使器件具备出色的开关性能和参数，比如较小的寄生电容、内阻温度系数、动态热阻和开关损耗，能够给不同应用场合提供全面的参数和封装的选择，同时能兼顾器件的高性能和可靠性。</p>
</section>				</div>
			</div><ul class="contact-list-area" style="margin-top: 30px; padding:0;">
											<li><a href="mailto:aos.cn@aitgroup.com.tw">我要联络 : (中國)aos.cn@aitgroup.com.tw</a></li>
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						</ul>

Semtech 为 AirLink® 推出高级混合云功能路由器：以无与伦比的安全性和控制力重新定义边缘网络管理

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