自动对焦(Auto Focus)是摄像头模组必不可少的功能。现在随着技术的不断发展,对AF Driver的要求越来越高。尤其在手机上,对摄像头模组的品质、功耗、响应速度提出了更高的要求。
安森美半导体适时推出LC898217+TMR AF Driver解决方案,相对目前的Hall AF Driver方案能更好满足客户需求。
霍尔(Hall)传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,原理是磁场的洛伦兹力使载流子进行偏移,产生电势。霍尔磁传感器元件通常使用聚磁环结构来放大磁场,提高霍尔输出灵敏度,从而增加了传感器的体积和重量,同时霍尔元件的功耗偏大,达mA级别。
TMR(Tunnel Magneto Resistance)是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前的几代磁阻传感器具有更高的电阻变化率,有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更好的线性度。不需要额外的聚磁环结构,使得产品设计的尺寸更小,成本更低。
下面是Hall与TMR的对比:
图一 Hall与TMR 原理对比
图二 Hall与TMR性能对比
图三 摄像头模组中的Hall和 TMR
现在LC898217+TMR AF Driver解决方案已经批量,下面是LC898217软件流程及调试:
图四 LC898217上电流程
图五 LC898217软件调试
图六 马达线性度校正
若您有相关需求可以跟我们联系。
安森美半导体适时推出LC898217+TMR AF Driver解决方案,相对目前的Hall AF Driver方案能更好满足客户需求。
霍尔(Hall)传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,原理是磁场的洛伦兹力使载流子进行偏移,产生电势。霍尔磁传感器元件通常使用聚磁环结构来放大磁场,提高霍尔输出灵敏度,从而增加了传感器的体积和重量,同时霍尔元件的功耗偏大,达mA级别。
TMR(Tunnel Magneto Resistance)是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前的几代磁阻传感器具有更高的电阻变化率,有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更好的线性度。不需要额外的聚磁环结构,使得产品设计的尺寸更小,成本更低。
下面是Hall与TMR的对比:
图一 Hall与TMR 原理对比
图二 Hall与TMR性能对比
图三 摄像头模组中的Hall和 TMR
现在LC898217+TMR AF Driver解决方案已经批量,下面是LC898217软件流程及调试:
图四 LC898217上电流程
图五 LC898217软件调试
图六 马达线性度校正
若您有相关需求可以跟我们联系。
►场景应用图
►展示板照片
►方案方块图
►核心技术优势
1. 内建EEPROM,能自动下载,可以省掉外围EEPROM IC; 2. 操作简便,响应快速; 3. 更好的温度稳定性,更高的灵敏度; 4. 更低的功耗,更好的线性度
►方案规格
♦电压:2.6 V to 3.3 V ♦支持Hall、TMR校正 ♦支持Linearity 补偿