一、与启动相关的项目检查
1.上电时序
上电时序对i.MX6UL芯片至关重要。不正确的上电时序可能导致芯片启动失败或者功能异常，严重的会导致芯片的ESD损坏。请确保上电时序满足如下的顺序要求：
a. 请确保SNVS_IN第一个上电，任何其它i.MX6UL的供电不能在SNVS_IN稳定之前上电，任何i.MX6UL的IO管脚都不能在SNVS_IN稳定前出现高电平。
b. 请确保其它供电在SNVS_IN稳定后至少1ms后再上电。
c. VDDHIGH_IN不可以直接和SNVS_IN短接在一起。
d. VDD_HIGH_IN 应该在VDD_SOC_IN上电之前上电。
e. 请确保POR_B在SNVS_IN上电之前为低电平，且在所有MX6UL的供电， 32.768KHz晶体， 24MHz晶体稳定后再回到高电平。
2.电源纹波
电源纹波的控制对于i.MX6UL的稳定运行至关重要，i.MX6UL对于电源纹波的要求是p-p（峰-峰值）控制在5%以内，以VDDARM_CAP 为例，如果设置的输出电平为1.2V的话，那么纹波p-p要控制在60mV以内。要控制好电源纹波，请遵从如下规则：
a. BUCK电容（22uF或10uF）和去耦电容（22uF或0.1uF）的数量和容值的配置请严格参考最新的NXP i.MX6UL EVK板的参考原理图。 或者参考 IMX6ULHDG.PDF：
Table 9. Power supply decoupling recommendations
b. 22uF电容请尽可能靠近相应的电源PAD来摆放。
c. 22uF or 0.1uF的电容请分散靠近相应的电源PAD摆放。
3.复位与时钟
a. POR_B复位信号的时间要求。确保POR_B在SNVS_IN上电之前为低，并在所有电源， 32.768KHz 晶体， 24MHz晶体都稳定后才能
释放（由低变高）。
b. 32.768KHz 晶体的电容配置,请使用以下近似公式选择负载电容的配置：
2× Cload - 3～5pF
注：- Cload为晶体手册上标明的值，请注意，同一种型号可能会有几种不同的负载电容指标，请确认实际使用的是其中的哪一种。
- 3~5pF是估算的板级衍生电容。
- 例如，一个标明为7pF负载电容的晶体，实际的板级设计电容应为：
2× 7 - 3~5=9~11pF， 因此建议使用10pF在板电容。
c. 24M晶体需要在XTALI加2.2Mohm的下拉电阻。
d. 32.768KHz与24MHz晶体不要外接任何并联偏压电阻， i.MX6UL芯片内部已经具有。
e. 32.768KHz晶体的选择请遵从如下规则：
• 内部等效电阻ESR 最大不能超过100K。
• 最大的驱动功率小于等于1uW。
• 精度50ppm或更好。
f. 24MHz晶体的选择请遵从如下规则:
• 内部等效电阻80ohm的晶体，推荐最大驱动功率不超过250uW。
• 对于内部等效电阻为50ohm的晶体，推荐最大驱动功率不超过200uW。
• 精度50ppm或者更好。
4.其它注意事项
a. eMMC 启动模式选择。
注：如果是从eMMC启动，启动模式请不要配置为DDR mode，要使用SDR模式。
请参看BOOT_CFG2[7,6,5]
b. BOOT_CFG4[7] 启动设置管脚 infinite 模式选择。
请确保这个管脚在启动时处于下拉的状态。
c. 请确保TEST_MODE 信号下拉到GND。
d. 请确保NGND_KEL0信号直接接地（GND)。
二、与电源相关的项目检查
电源管脚电路设计注意事项：
a. 各组电源的电容数量与容值配置请严格参考我们的官方原理图。
b. 不要连接任何外部的负载在如下MX6UL的内部LDO输出上，这些电源是给i.MX6UL内部供电的:
VDDARM_CAP，VDDSOC_CAP， NVCC_PLL,VDD_SNVS_CAP，VDDUSB_CAP and VDDHIGH_CAP。
三、与DDR相关的项目检查
LPDDR2/DDR3 设计注意事项：
a. DRAM_RESET信号
• 对于DDR3来说， DRAM_RESET信号需要外接10k下拉来满足JEDEC时序的要求。
• 对于LPDDR2/3来说， DRAM_RESET信号的外接10k是不必要的，建议悬空。
b. SDCKE[1:0]信号
•对于DDR3来说， 这个两个信号应该悬空要满足DSM的模式的功耗要求，内部已经有10K下拉。
•对于LPDDR2/3来说，这两个信号需要外接10k下拉来满足JEDEC时序的要求。
c. 确保8组数据线应与对应的DQM和DQS连接在同一组， 例如D0~D7对应DQS0/DQS0_B与DQM0,例如D8~D15对应DQS1/DQS1_B与
DQM1,以此类推。
d. 由于write leveling的要求，请确保DDR芯片与MX6UL芯片的每一组数据线的首位对齐连接，例如，第一组的D0对D0,其它可以任意交换，
第二组的D8对D8, 其它可以任意连接，一次类推。
e. Vref一定不能使用VTT来供电，虽然他们的电压相同。
f. 请确保MX6UL和DDR芯片的ZQPAD外接240 ohm下拉电阻，并确保电阻的精度是1%的。
四、其它注意事项
芯片的版本差异
请注意： imx6UL有不同的芯片版本以及不同的封装。
设计时，请务必确认自己的设计是针对哪款芯片的。
具体的差异，请参考 imx6UL datasheet 里的1.1 order information章节。
Suspend mode
请注意：在CPU 进入suspend 模式和DSM模式时，内部的LDO将自动进入bypass模式，这时候输入的电压等于输出的电压，所以如果用户在
实际的应用中如果会使用到这两种模式的话，务必需要考虑VDD_SOC_IN电压的控制。
生产模式（manufacturing mode）的设计注意事项：
为了方便用户在产线上通过SD卡下载程序到NAND Flash, eMMC等， imx芯片设计了SD卡的生产模式。
基本工作原理就是：当从指定启动源启动失败时，系统在进入USB 下载模式之前会先检查生产模式设置的SD卡接口，如果能在SD里发现启动image，
那么就会正常从这个SD卡启动。一般来说， SD_CD信号被用来检测是否有SD卡在设定的SD卡端口。
以下是i.MX芯片生产模式支持的SD接口：
- Imx6UL: SD1
- Imx6ULL: SD1
请注意：
- 默认情况下，生产模式是被使能的，并且可以通过 fuse 位DISABLE_SDMMC_MFG 来disable这个功能。
- 不论是否使用这个生产模式，请在SD1_CD信号上加上外部的上拉来保证CD信号的默认高电平。
USB设计注意事项：
a. 根据USB OTG的标准， OTG连接器上的VBUS在板子上电之前需要默认关闭。推荐使用iMX6UL的3V IO电压来控制这个VBUS的输入，确保iMX6UL
没上电之前，这个VBUS不输入到iMX6UL芯片。请参考我们的EVK板设计。
b. USB内部的USB LDO是由USB_OTG1_VBUS 或者USB_OTG2_VBUS来供电的，所以USB模块要正常工作，需要确保其中一个正常上电。
c. 确保在USB接口上设计合适的ESD保护电路，请参考我们的EVK板设计。
d. 确保USB_DP与USB_DM没有接反，我们遇到好几个客户把这两个信号接反从而导致需要重新做板。
e. 当USB信号从imx6芯片到最终的device需要通过好几个连接器时，会严重影响USB信号的质量，需要配合眼图测量调整USB的信号。设计中尽量避免
经过过多的连接器。
I2C设计注意事项：
a. 根据JEDEC标准， I2C上拉电阻的范围是1k～10k，可以根据外设的负载多少来调整，外设越多，则这个值应该越小，推荐如下：
- 接一个外设的推荐值为4.7k，
- 两个外设的推荐值为2.2k。
阻值过小）。
c. 对于PMIC, Touch等对I2C操作频率较高的外设，建议不要使用同一I2C总线。PMIC由于涉及到电源控制，建议使用独立的I2C总线。
UART设计注意事项：
i.MX的UART有DTE和DCE两种不同的工作模式，他们的信号连接方法是不一样的。
请参考Reference Manual53.2里的描述仔细考虑硬件设计的连接方法。
JTAG设计注意事项：
a. JTAG_MOD – 外部7k ohm电阻下拉到地（ GND)。
b. 不要在JTAG_TDO 上连接任何外部上拉或者下拉。
c. JTAG连接器上的JTAG_DE （ 20 pin 模式的第17脚）一定要上拉，这个是JTAG的使能管脚，这个信号在我们i.MX6UL的CPU上是没有的，但是在
连接器上是必须的，对于那些只设计预留，没有20针连接器的客户来说，要确保预留这个信号的上拉。
不使用的管脚的连接方法
请参考IMX6ULHDG.pdf这个文档里“Unuse analog interface”表格。
i.MX6UL管脚的默认状态
请参考在i.MX6UL datasheet这个文档里。
Functional Contact Assignments 表格
PCB设计的阻抗控制注意事项：
- 一般的单端线请使用50 ohm阻抗。
- DDR CLK/DQS差分对 请使用100 ohm阻抗。
- USB_DP/DM差分对请使用90 ohm阻抗。
请注意： 所有的这些差分对等长控制需要控制在+/-5mil，走线上需要换层时要同时。