安森美半导体于2018年1月首次推出3.3 kW OBC分立参考方案。它采用了顶级功率因数控制器(PFC)和LLC控制器FAN9672Q和FAN7688,工作能效超过90%。
2018年末,安森美半导体发布了3.3 kW汽车功率模块 (APM) 方案。该方案集成FAM65CR51DZ功率集成MOSFET模块,旨在实现小尺寸、高效和可靠的系统,以减少燃油消耗和CO2排放。它还提高了热性能,并实现了很高的系统集成度。
此后不久,在2019年初,我们发布了6.6 kW OBC硅(Si)模型。这是个高能效、高功率密度参考设计,采用交错式PFC和全桥LLC,基于高压超级结MOSFET。采用这些先进而稳定可靠的器件,运行能效提高了94%。
然而,追求更高能效和更低开关损耗永无止境。时至今日,我们最新设计的6.6 kW OBC SiC平台使用了具有领先技术的碳化硅(SiC)器件,比同类硅(Si)版本提供更胜一筹的开关性能和更高的可靠性。
该SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB评估板提供了一个基于PFC和LLC的参考设计用于6.6 kW OBC系统,采用SiC功率器件和驱动器。该平台包括高开关性能SiC二极管(FFSP3065A)、SiC MOSFET (NVHL020N090SC1)、6 A SiC MOSFET驱动器(NCP51705MNTXG)、900 V 60 mΩ SiC MOSFET (NVHL060N090SC1)。采用这些高性能SiC器件,可在空间受限的设计中实现更高的能效 (在任何条件下都达95%,优化后提高> 2%)和功率密度。该全桥LLC电路采用经美国汽车电子协会(AEC)认证的LLC谐振转换器控制器(NCV4390),以高总线电压使用率提高了能效。
NCV57000是大电流单通道IGBT驱动器,内置电气隔离,设计用于在大功率应用中提高系统能效和可靠性。它替代了Si版本中使用的整个脉冲变压器。强大的电流驱动能力和负门极电压可轻松驱动SiC MOSFET。过载和短路自保护功能适用于OBC等高功率和高可靠性应用。
另一个采用SiC器件和驱动器的OBC参考方案也已上市。该三相11 kW OBC PFC + LLC平台采用模块化方法,配备了易于使用的图形用户接口(GUI),简化OBC应用中SiC器件的评估。
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