随著当今电动车主电池电压从 400V 增加到 800V，公共充电基础设施也正在支援800V电动车充电架构，有助于车主们在公路旅程，加快公共充电时间。直流充电站可以提供高达350 kW 的功率，并在15分钟内为电动车充满电。由于其快速充电能力，直流快速充电器是公共停车地点的理想选择。另外，单台壁挂式或落地式50kW直流快速充电器也能够为市场上的所有电动车充电，最大限度地利用购物中心/办公楼/零售场所的停车位。
一个采用模组化充电解决方案的350 KW充电站，可以在大型机柜中通过堆叠多个25kW模块快速部署安装。安森美半导体为25kW交流/直流转换器的功率级提供F2封装的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG，它是一款4mΩ/1200V SiC MOSFET 2-PACK半桥拓扑结构及一个NTC热敏电阻。通常前端功率级是一个双向3相6开关PFC拓扑结构，需要用到3个NXH004P120M3F2PTHG功率模块; 而后端功率级是一个双向相移全桥DC/DC拓扑结构，需要4个NXH004P120M3F2PTHG功率模块。
2. 产品特色
► 4mΩ/ 1200 V M3S SiC MOSFET 半桥
► 直接覆铜基板(DBC)
► NTC热敏电阻
►带或不带预涂热界面材料(TIM)
►带有可焊接引脚和压接引脚的选项
►这些器件不含铅、不含卤化物且符合 RoHS 标准
3. 内部方块图
4. 设计利益
安森美推出了EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG适用于交流/直流转换器功率级。首先是4mΩ的低导通电阻带出较低的传导损耗，其次是两个关键参数EON为1.77mJ、EOFF为1.18mJ带出更低的开关损耗。因此， EliteSiC功率器件可以在更高的开关频率下工作，具有更高的转换效率和更少的废热。整体表现是优于传统的IGBT/MOSFET模组。
功率模组使用了直接覆铜基板(DBC)作为裸晶的承载体，结-壳热阻RthJC已经包含了绝缘层。可以在NXH004P120M3F2PTHG的规格书中找到RthJC和RthJH热阻参数，分别是0.121℃/W和0.263℃/W。由于它的导热能力更好，使得模组可以在更高的功率下运行。
5. 结语
安森美的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG的最大工作接面温度为175°C，需要外部控制和栅极驱动器。该模组整合一个5kΩ的NTC，用于测量模组内部裸晶的温度，它对于散热系统中的散热片设计是非常重要的。NXH004P120M3F2PTHG提供更好的散热表现，有助于电源设计者构建更高功率密度的EV直流快速充电器产品。
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