浅谈英诺赛科氮化镓与硅MOS开启过程对比

1）：t0时刻，Vgs电压达到Vth值，此时开关管未导通，无损耗。
2）：T0-t1时间段，Vgs电压到达米勒平台电压，存储在Coss的能力通过沟道释放，造成的损耗为Ploss=Eoss*fsw，InnoGaN的Eoss比Si MOS小，故损耗更小。

3）：t1-t2时间段，为米勒平台时间，Crss越大时间越长，时间越长损耗越大，InnoGaN的Crss是Si MOS的1/15，几乎无米勒平台，故损耗更小。
4）：t0-t3时间段，为开关管的开通时间，InnoGaN的Ciss是Si MOS的1/20，开通速度更快，开关损耗更小，可工作在更高频。