随着科技的快速发展，功率电子领域正迎来一场革命。Realtek瑞昱推出的GaN氮化镓方案，以其高效稳定的特性，正逐渐成为行业的新宠。 一、GaN氮化镓：功率电子的新星 GaN氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率和高电子密度等诸多优点。相比于传统的硅材料，GaN氮化

onsemi安森美Vipergan PD快充方案,高效充电新纪元，随着移动智能设备的普及和功能的日益丰富，用户对设备续航能力的要求也越来越高。然而，传统的充电方式往往存在着充电速度慢、充电器体积大等问题，无法满足用户的迫切需求。为此，onsemi安森美凭借其领先的技术实力，推出了基于Vipergan

作者：英飞凌官微 目前，我们正处于能源转型期，亟需采取行动以应对全球变暖，确保未来的美好生活。为实现这个目标， 我们需要重新思考发电、输电、电力储能和用电的方式。能源、经济和环境之间的关系一直是复杂而多变的。许多可持续发展方面的挑战都来自于能源需求与效率之间的不协调。 宽禁带解决方案正使能源的产生和

 1.氮化镓GaN按照制造工艺，可以分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型, ST 氮化镓GaN 是E-mode (P-GaN) 工艺，以下的讨论都基于P-GaN 。 在电源系统中，对于所有的功率器件，选择正确的栅极驱动电路及进行合理设计，是实现电源系统最佳性能和增强

NCP51820高速栅极驱动器设计用于满足驾驶增强模式（e-mode）的严格要求， 高电子迁移率晶体管（HEMT）和 栅极注入晶体管（GIT）， 氮化镓（GaN）电源开关处于断开状态， 半桥功率拓扑。 NCP51820提供短和 匹配的传播延迟与先进的电平偏移技术，提供−3.5 V至+650 V（典型

随着科技的不断进步，半导体技术在能源转换领域的应用日益广泛。英诺赛科（Innoscience）推出的氮化镓（GaN）方案，以其高效率、高功率密度的特点，正成为电子设备电源转换领域的新宠。本文将详细解析英诺赛科Innoscience氮化镓GaN方案的技术原理、应用领域以及其对未来能源转换效率提升的重要

能源转换技术已成为当今社会关注的焦点。在这个背景下，Realtek瑞昱GaN氮化镓方案引起了广泛关注。该方案以其高效、稳定、节能的特性，成为新一代的能源转换解决方案，引领着科技未来的发展方向。 一、GaN氮化镓技术的优势 GaN氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率和

自从 40 多年前，第一款开关电源问世以来，PCB 的布局就一直是电力电子设计中不可或缺的一环。无论采用哪种晶体管技术，我们必须理解和管理 PCB 布局产生的寄生阻抗，确保电路正确、可靠地运行，而且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。   尽管现代的宽禁带功率半导体不像早期的硅技术那样，存在严重的反

用于非互补有源钳位反激式转换器的同步整流控制器 产品说明 • SRK1004：是一款适用于有源钳位反激式、谐振反激式和准谐振反激式转换器的次级侧同步整流 (SR) 控制器。该产品能够管理高压检测，其漏源电压为190V。 • SRK1004的主要特性包括： 　- 紧凑性：采用DFN 2x2超小型封装，

BMS 俗称电池保姆或电池管家，主要是为了智能化管理及维护各个电池单元，防止电池出现过充电和过放电，保障电池安全使用的同时延长使用寿命。 当前市面上出现的电池管理系统大多数采用 Si MOS，由于 Si MOSFET 具有寄生二极管，必须成对使用，才能进行充电电流、放电电流的控制。 针对 BMS 应