浅谈英诺赛科氮化镓与硅MOS关断过程对比

1）：t0-t1时间段，Vgs电压下降至米勒平台电压，此过程不产生损耗。
2）：t1-t2时间段，在此时间段内因Si MOS的Crss、Coss线性度差导致Vds缓慢上升，Id几乎不变（Id=Ipk），造成损耗。

3）：t2-t3时间段，Vgs从米勒平台快速下降至零，Vds与Id交叠，产生关断损耗。
4）：t0-t3整个关断过程，InnoGaN的Ciss、Crss比Si MOS小，可工作在更高频率。