作者：英飞凌工业半导体
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了 M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。
相关产品：
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1，2，6mΩ，1200V 62mm半桥模块
产品特点
• 集成体二极管，优化了热阻
• 最高的防潮性能
• 卓越的栅极氧化层可靠性
• 抗宇宙射线能力强
• 符合RoHS标准要求
应用价值
• 按照应用苛刻条件优化
• 更低的电压过冲
• 导通损耗最小
• 高速开关，损耗极低
• 对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
• 标准模块封装技术确保可靠性
• 62毫米高产量生产线上生产
竞争优势
• 通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。
• 电流密度最高，防潮性能强
应用领域
• 储能系统
• 电动汽车充电
• 光伏逆变器
• UPS
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