美光Nor flash 规格书明确说明 Vcc overshoot 大于Vccmax+2.0V，20ns区间即有风险造成不可逆的损坏! VIH overshoot 大于Vccmax+1.0V ,2ns区间=> 即有风险造成不可逆的损坏! 参考来源美光官网: https://www.micron.co

       目前，笔记本电脑的内存正面临困境，传统的 SODIMM 模块（也就是缩小版的台式机内存条）已经服役了近 25 年，即将遇到速度瓶颈。 而且还占用了大量的主板空间与厚度，业界苦之已久。 CAMM2 是一种新的内存模块标准，预计将逐步取代服役了约 25 年的 SO-DIMM 内存。 但由于

1、主流应用正在从UFS2.1切换至UFS3.1 自从划时代的iphone4诞生以来，智能手机持续处于高速发展阶段，经历了旷日持久的“军备竞赛”后，2023年手机的发展已经明显到了瓶颈期。但是几乎拥有同样功能的车机，发展却较为缓慢。一直以来，车机的屏幕小且分辨率低，响应速度慢，静态功能无法进行升级。

计算机的组成原理里面这样介绍计算机的存储器：存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器，而诸如硬盘、SSD等都为辅助存储器。 套用网络上这样一个关于内存和存储的定义，大家可能

什么是3D NAND闪存？        我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起

上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克代码：MU）宣布量产全新的 16Gb 容量 GDDR6X 内存，并已搭载于 NVIDIA® (英伟达) GeForce® RTX 3090 Ti 显卡。新款 GDDR6X 内存为美光

本内容主要介绍基于美光 DRAM 存储器的TSA 测试中的一下概念和操作说明，并总结相关的经验分享给大家，希望给各位有所帮助。 一、TSA测试介绍     1. TSA测试指时序信号完整性测试分析。     2. 主要测试部分如下图1所示。                              

e.MMC 5.0 & 4.51/4.41 153b是兼容的 首先，这是e.MMC 153球的引脚图。 左边表示5.0版的e.MMC，右边表示4.51版本。 如您注意到的，在4.51版本中以红色突出显示的管脚表示那些标记为RFU（保留供将来使用）的管脚，在随后的5.0版本中已经改变了。 下图指出，如