『东芝在新一代具有超结(Super Junction)结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET—DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品TK042N65Z5和TK095N

1、超结功率MOSFET输出电容迟滞效应 高频高功率密度开关电源为了提高效率，通常使用零电压ZVS软开关技术。功率MOSFET开通前，COSS电压VDS为直流母线电压，COSS电容储存能量，通过外加电感L和COSS串联或并联，形成LC谐振电路，COSS放电，VDS谐振下降；当VDS谐振下降到0时，功

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO-247长引线封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A  产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，采用TO247- 4封装，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A 产品说明 该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)，适合中/高电压MOSFET。基

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用DPAK封装，N沟道650 V，132 mOhm典型值，17 A  产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装，N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A 产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基

STPOWER MOSFET MDmesh M9系列采用TO-220封装，N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A 产品说明 该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。