概述： 1. NCP/NCV51752 是一款隔离式 1 通道闸极驱动器，具有高达 4.5A/9A 的峰值电流。 它专为非常快速的开关而设计，以驱动功率 SiC MOS电源开关. 2. NCP/NCV51752 提供短且匹配的传播延迟，并具有在闸极驱动回路中产生负偏压的整合机制，从而为任何类型的 S

SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案 ★ 研讨会内容：   介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（2

作者：英飞凌工业半导体 方洁 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。 功率电路寄生电感在哪里？ 图1给出了半桥电路中不同位置寄

作者：英飞凌工业半导体 碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023 IPAC英飞凌工业功率技术大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对Si

碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的反向电荷仅为相同电压规格的硅基MOSFET的5%。对于桥式电路，可以减小体二极管的死区时间和反向恢复带来的损耗和噪声，便于改进。开关工作频率。碳化硅MOS具

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的 性能。 SiC MOSFET目标应用包括工业马达驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。 SiC MOSFET“Q”系列产

作者：英飞凌工业半导体 王建渊 颜肃  随着现代机床向高速、高精度方向发展，对机床主轴的技术要求越来越高。电主轴作为高速机床的重要组成部件之一，因其转速高、体积小和优异的动态性能等特性，可有效提高机床的动态平衡，避免了振动和噪声。主轴电机放置在机床的主轴单元内，直接驱动负载。因此，简化了传统的机械驱

ACEPACK 1电源模块，四单元拓扑，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，带NTC 产品说明 该电源模块采用四单元拓扑，内置ACEPACK 1 模块和NTC，并集成了意法半导体最先进的第2代硅碳化MOSFET。这种模块化解决方案可用于实现功率密度非常高的复杂拓扑，从而

由于第三代半导体的发展，对于Si mos 与 SiC mos 如下几个的差异性来做说明 一. 驱动电压之影响 Si-Mos与SiC-Mos相比，驱动电压即闸极－源极间电压Vgs越高导通而对ID电流的影响会有所不同。下图表示为ID电流与Vgs的关系。所以SiC mos Vgs导通电压建议须要比Si M

一：商品介绍                    STDES-SICGP4参考设计允许评估半桥拓扑中的HiP247-4（四引线）封装-功率SiC MOSFET的开关和热性能。          MOSFET由隔离栅极驱动器控制。驱动器由隔离的DC-DC转换器供电。          该系统需要连接