SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案 ★ 研讨会内容：   介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（2

作者：英飞凌工业半导体 方洁 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。 功率电路寄生电感在哪里？ 图1给出了半桥电路中不同位置寄

作者：英飞凌工业半导体 碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023 IPAC英飞凌工业功率技术大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对Si

碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的反向电荷仅为相同电压规格的硅基MOSFET的5%。对于桥式电路，可以减小体二极管的死区时间和反向恢复带来的损耗和噪声，便于改进。开关工作频率。碳化硅MOS具

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的 性能。 SiC MOSFET目标应用包括工业马达驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。 SiC MOSFET“Q”系列产

ACEPACK 1电源模块，四单元拓扑，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，带NTC 产品说明 该电源模块采用四单元拓扑，内置ACEPACK 1 模块和NTC，并集成了意法半导体最先进的第2代硅碳化MOSFET。这种模块化解决方案可用于实现功率密度非常高的复杂拓扑，从而

一：商品介绍                    STDES-SICGP4参考设计允许评估半桥拓扑中的HiP247-4（四引线）封装-功率SiC MOSFET的开关和热性能。          MOSFET由隔离栅极驱动器控制。驱动器由隔离的DC-DC转换器供电。          该系统需要连接

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V，58 mΩ典型值，30 A，顶部冷却式HU3PAK封装 产品说明 该碳化硅STPOWER MOSFET晶体管采用意法半导体先进、创新的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开

原文标题： Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200 V SiC Trench MOSFET 原文作者： Thomas Basler 原文发表在 PCIM Europe 2018， 5 – 7 June 2018， Nuremberg

5/25 由 WPI 联合 onsemi 举办的线上研讨会《onsemi 爆发前夜的新能源浪潮之基 —— SiC》已经圆满结束啦！本场研讨会的在线 QA 已经放在附件，需要的伙伴大家可以自行下载咯。 SiC 近年在工业及汽车领域的发展都非常迅猛，onsemi 作为半导体知名厂商也在早已布局了 SiC