自从 40 多年前，第一款开关电源问世以来，PCB 的布局就一直是电力电子设计中不可或缺的一环。无论采用哪种晶体管技术，我们必须理解和管理 PCB 布局产生的寄生阻抗，确保电路正确、可靠地运行，而且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。   尽管现代的宽禁带功率半导体不像早期的硅技术那样，存在严重的反

Vishay 推出一种用于工业、电脑、消费和移动应用领域的新型反射式光感测器。与上一代解决方案相比，Vishay Semiconductors 的 VCNT2030 更加节省空间，同时拥有更高的电流传输比（CTR）、更远的传感距离和更低的功耗，从而提高了性能。该产品配置了垂直腔表面发射激光器（VCS

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 采用TO-220封装 产品说明 这款超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计出的产品具有极

N沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET依托意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。设计成果为最佳单位面积导通电阻和栅极

650 V e模式功率GaN晶体管， 75 mOhm典型值，15 A，常关P栅极HEMT 产品说明 SGT120R65AL是一种650 V、15 A e模式PowerGaN晶体管，结合了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件拥有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作，以实现高功率密度和出众的

N-沟道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列采用DPAK封装 产品说明 这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh™ K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极

作者：Diodes 公司应用工程部经理 Qin Zhuang 大多数您所设计或使用的电子系统，都具有一或多个振荡器来提供频率以进行同步运作，作为频率参考或实现准确的定时。本文将讨论石英晶体振荡器的优点，以及一些可用的选择。在以微处理器为基础的系统中，存在着数种不同的频率讯号，用于执行指令、将数据移入

随着汽车工业科技的进步以及ADAS辅助驾驶功能的复杂化，车用电子产品，如 HPC、DCU、Camera、Lidar, Radar 等，均在设计上各自进行着翻天覆地的设计改变，而由于支持这些产品设计的主芯片性能以及复杂程度的提升，对于频率器件在众多车用电子产品的使用上也与过去有着极大的不同。在今日，频

几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。 问题是，化合物半导体更难制

上一篇我们介绍了二极管，这篇就来了解下微电子时代的“开启者”-晶体管。按照结构不同，晶体管大致可分为双极性晶体管（BJT）、场效应管（MOSFET）、和绝栅双极晶体管（IGBT）。它们的主要区别在于内部端极PN结的构造。其中双极晶体管属于电流驱动器件，场效应管和绝缘栅双极晶体管属于电压驱动器件。 1